第8章 外圍設(shè)備 一、選擇題 歷年真題: 2000年: 9.在大多數(shù)磁盤中(�。�。 A.各磁道的位密度相同 B.最外圈磁道的位密度最大 C.最內(nèi)圈磁道的位密度最大 D.寫入時選擇較高的位密度,以增加記錄信息;讀出時選擇低的位密度,以提高可靠性 「分析」:位密度是指磁道中單位長度所存儲的信息量。在磁盤存儲器中,每個磁道所存儲的信息是相同的,而最內(nèi)圈磁道的長度最小,所以該磁道的位密度最大。 「答案」:C 10.在調(diào)頻制記錄方式中,是利用( )來寫0或1. A.電平高低的變化 B.電流幅值的變化 C.電流相位的變化 D.電流頻率的變化 「分析」:在調(diào)頻制記錄方式中,信息的寫入是依靠寫入電流頻率的變化來實現(xiàn)的,寫1時的電流變化頻率是寫0時電流變化頻率的2倍。 「答案」:D 2002年: 14.在常用磁盤中,( )。 A.外圈磁道容量大于內(nèi)圈磁道容量 B.各道容量不等 C.各磁道容量相同 D.內(nèi)圈磁道容量大于外圈磁道容量 「分析」:位密度是指磁道中單位長度所存儲的信息量。在磁盤存儲器中,每個磁道所存儲的信息是相同的。 「答案」:C 15.在下列存儲器中,(�。┛梢宰鳛橹鞔鎯ζ�。 A.半導(dǎo)體存儲器 B.硬盤 C.光盤 D.磁帶 「答案」:A 2003年: 1.CRT 圖形顯示器的分辨率表示(�。�。 A.一個圖像點(diǎn)(像素)的物理尺寸 B.顯示器一行能顯示的最大圖像點(diǎn)數(shù)與一列能顯示的最大圖像點(diǎn)數(shù) C.顯示器屏幕可視區(qū)域的大小 D.顯示器能顯示的字符個數(shù) 「分析」:CRT圖形顯示器的分辨率是衡量顯示器顯示清晰度的指標(biāo),是以圖像點(diǎn)(像素)的個數(shù)為標(biāo)志,即顯示器一行能顯示的最大圖像點(diǎn)數(shù)與一列能顯示的最大圖像點(diǎn)數(shù)的乘積。 「答案」:B 6.下列各種記錄方式中,不具自同步能力的是(�。� A.不歸零制 B.改進(jìn)型調(diào)頻制 MFM C.調(diào)相制PM D.調(diào)頻制 「分析」:自同步能力是指從讀出的數(shù)據(jù)中自動提取同步信號的能力,其能力大小可用最小磁化翻轉(zhuǎn)間隔與最大磁化翻轉(zhuǎn)間隔的比值來表示,比值越大,則自同步能力越強(qiáng)。在各種記錄方式中,NRZ,NRZ記錄方式?jīng)]有自同步能力,PM,F(xiàn)M,MFM記錄方式具有自同步能力。 「答案」:A 第8章 外圍設(shè)備 歷年真題: 2000年: 9.在大多數(shù)磁盤中(�。� A.各磁道的位密度相同 B.最外圈磁道的位密度最大 C.最內(nèi)圈磁道的位密度最大 D.寫入時選擇較高的位密度,以增加記錄信息;讀出時選擇低的位密度,以提高可靠性 「分析」:位密度是指磁道中單位長度所存儲的信息量。在磁盤存儲器中,每個磁道所存儲的信息是相同的,而最內(nèi)圈磁道的長度最小,所以該磁道的位密度最大。 「答案」:C 10.在調(diào)頻制記錄方式中,是利用( )來寫0或1. A.電平高低的變化 B.電流幅值的變化 C.電流相位的變化 D.電流頻率的變化 「分析」:在調(diào)頻制記錄方式中,信息的寫入是依靠寫入電流頻率的變化來實現(xiàn)的,寫1時的電流變化頻率是寫0時電流變化頻率的2倍。 「答案」:D 2002年: 14.在常用磁盤中,(�。� A.外圈磁道容量大于內(nèi)圈磁道容量 B.各道容量不等 C.各磁道容量相同 D.內(nèi)圈磁道容量大于外圈磁道容量 「分析」:位密度是指磁道中單位長度所存儲的信息量。在磁盤存儲器中,每個磁道所存儲的信息是相同的。 「答案」:C 15.在下列存儲器中,(�。┛梢宰鳛橹鞔鎯ζ�。 A.半導(dǎo)體存儲器 B.硬盤 C.光盤 D.磁帶 「答案」:A 2003年: 1.CRT 圖形顯示器的分辨率表示(�。�。 A.一個圖像點(diǎn)(像素)的物理尺寸 B.顯示器一行能顯示的最大圖像點(diǎn)數(shù)與一列能顯示的最大圖像點(diǎn)數(shù) C.顯示器屏幕可視區(qū)域的大小 D.顯示器能顯示的字符個數(shù) 「分析」:CRT圖形顯示器的分辨率是衡量顯示器顯示清晰度的指標(biāo),是以圖像點(diǎn)(像素)的個數(shù)為標(biāo)志,即顯示器一行能顯示的最大圖像點(diǎn)數(shù)與一列能顯示的最大圖像點(diǎn)數(shù)的乘積。 「答案」:B 6.下列各種記錄方式中,不具自同步能力的是(�。�。 A.不歸零制 B.改進(jìn)型調(diào)頻制 MFM C.調(diào)相制PM D.調(diào)頻制 「分析」:自同步能力是指從讀出的數(shù)據(jù)中自動提取同步信號的能力,其能力大小可用最小磁化翻轉(zhuǎn)間隔與最大磁化翻轉(zhuǎn)間隔的比值來表示,比值越大,則自同步能力越強(qiáng)。在各種記錄方式中,NRZ,NRZ記錄方式?jīng)]有自同步能力,PM,F(xiàn)M,MFM記錄方式具有自同步能力。 「答案」:A 11.在下列存儲器中,哪種速度最快(�。�。 A.磁盤 B.磁帶 C.主存 D.光盤 「分析」:各種存儲器由于存儲介質(zhì)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同,其讀寫速度也不同。讀寫速度由快到慢的次序為:高速緩沖存儲器、主存儲器、輔助存儲器。各種輔助存儲器的讀寫速度由快到慢次序為:硬盤存儲器、光盤存儲器、磁帶存儲器。 「答案」:C 2004年: 2.在下列設(shè)備中,屬于圖形輸入設(shè)備的是(�。� A.鍵盤 B.條形碼閱讀機(jī) C.數(shù)字化儀 D.顯示器 「分析」:圖形輸入設(shè)備有鼠標(biāo)、數(shù)字畫儀和觸摸屏;文字輸入設(shè)備有鍵盤、磁卡閱讀機(jī)、條形碼閱讀機(jī)、紙帶閱讀機(jī)、卡片閱讀機(jī)。圖像輸入設(shè)備有掃描儀、數(shù)碼相機(jī)和攝像頭等。 「答案」:C 3.磁表面存儲器記錄信息是利用磁性材料的(�。� A.磁滯回歸線特性 B.磁場滲透特性 C.磁場分布特性 D.磁場吸引力特性 「分析」:磁表面存儲器記錄信息是利用磁性材料的磁滯回歸線特性。 「答案」:A 2005年: 14.24針打印機(jī)的打印頭的針排列是( )。 A.24根針排成一列 B.24根針排成2列 C.24根針排成3列 D.24根針排成4列 「分析」:9針打印機(jī)的打印頭的針排列是單列,24針打印機(jī)的打印頭的針排列是雙列。 「答案」:B 15.在常用磁盤的各磁道中(�。�。 A.最外圈磁道的位密度最大 B.最內(nèi)圈磁道的位密度最大 C.中間磁道的位密度最大 D.所有磁道的位密度一樣大 「分析」:(和2000年題目一樣)位密度是指磁道中單位長度所存儲的信息量。在磁盤存儲器中,每個磁道所存儲的信息是相同的,而最內(nèi)圈磁道的長度最小,所以該磁道的位密度最大。 「答案」:B 二、填空題: 2005年: 20.磁盤存儲設(shè)備主要由磁記錄介質(zhì)、( )和( )三個部分組成。 「分析」:磁盤存儲設(shè)備主要由磁記錄介質(zhì)、磁盤控制器和磁盤驅(qū)動器三個部分組成。 「答案」:磁盤控制器 磁盤驅(qū)動器 三、改錯題: (2000年)8.在計算機(jī)系統(tǒng)中,除CPU外的其它部件和設(shè)備都稱為外圍設(shè)備。 「分析」:計算機(jī)硬件系統(tǒng)是由運(yùn)算器、控制器、存儲器、輸入設(shè)備和輸出設(shè)備5個部分組成的,將運(yùn)算器和控制器合在一起稱為CPU;存儲器又分為內(nèi)部存儲器和外部存儲器兩類,內(nèi)部存儲器與CPU一起組成計算機(jī)的主機(jī),外存儲器、輸入設(shè)備、輸出設(shè)備等合稱為外圍設(shè)備。 「答案」:在計算機(jī)系統(tǒng)中,除CPU和主存之外的其他部件和設(shè)備,常被稱為外圍設(shè)備。 (2000年)10.寫入硬盤時,若一個文件的長度超出一個磁道的容量,則繼續(xù)寫入同面的相鄰磁道中。 「分析」:硬盤存儲器一般由多個盤片組成,每個盤片的兩個面都用來記錄信息(最外層的兩個盤片有時只用一個面),每個盤面中相同磁道號的各個磁道構(gòu)成一個柱面。硬盤中信息的存儲是按柱面順序,即只有在一個柱面都被記錄上信息后才進(jìn)入下一個柱面。在柱面內(nèi)信息的存儲是按磁道順序,即只有在一個磁道都被記錄上信息后才進(jìn)入下一個相鄰面的磁道中。 「答案」:寫入硬盤時,若一個文件的長度超過一個磁道的容量,則繼續(xù)寫入同一柱面的相鄰面的磁道中。 (2002年)4.顯示適配器中的顯示緩沖存儲器用于存放顯示器將要向CPU輸入的信息。 「分析」:顯示器是計算機(jī)硬件系統(tǒng)中的輸出設(shè)備,由于CPU的處理速度較快,而顯示器顯示輸出的速度較慢,為了將兩者間的速度差別協(xié)調(diào)起來,在顯示適配器中配置一定容量的顯示緩沖存儲器,CPU將要顯示輸出的信息先送入此緩沖存儲器,再由顯示適配器控制顯示輸出,而CPU則可以轉(zhuǎn)去完成其他的任務(wù)。由此可見,顯示適配器中的顯示緩沖存儲器用于存放CPU向顯示器輸出的信息。 「答案」:顯示適配器中的顯示緩沖存儲器用于存放CPU向顯示器輸出的信息。 (2003年)24.磁盤是存儲器,不是外圍設(shè)備。 「分析」:磁盤是計算機(jī)系統(tǒng)中的輔助存儲器,當(dāng)計算機(jī)從磁盤中讀出數(shù)據(jù)信息時,磁盤屬于輸入設(shè)備,而當(dāng)計算機(jī)向磁盤寫入信息時,磁盤又屬于輸出設(shè)備。所以磁盤既是存儲器,又屬于外圍設(shè)備。 「答案」:磁盤既是存儲器,又屬于外圍設(shè)備。 由上可見,本章的主要考試題型是選擇題、填空題和改錯題,所占分?jǐn)?shù)約為4分左右。注重對基本知識的考核。其他要了解的知識: 1.歸零制(RZ):磁表面存儲器記錄信息時,不論某存儲單元的代碼是0或者1,在記錄下一個信息之前記錄電流要恢復(fù)到零電流。在給磁頭線圈送入的脈沖電流中,正脈沖表示1,負(fù)脈沖表示0.不具有自同步能力 2.不歸零制(NRZ):磁表面存儲器記錄信息時,磁頭線圈上始終有電流,不是正向電流就是反向電流,正向電流代表1,反向電流代表0.不具有自同步能力 3.調(diào)相制(PM):磁表面存儲器記錄信息時,在一個磁化元的中間位置,利用電流相位的變化進(jìn)行寫1或者寫0,所以通過磁頭中的電流方向一定要改變一次。規(guī)定在記錄數(shù)據(jù)1時,磁化翻轉(zhuǎn)的方向是由負(fù)變正,記錄數(shù)據(jù)0時磁化翻轉(zhuǎn)的方向為由正變負(fù)。具有自同步能力 4.調(diào)頻制(FM):磁表面存儲器記錄信息時,無論記錄的代碼是1還是0,或者是連續(xù)的1或連續(xù)的0在相鄰的兩個存儲元交界處電流要改變方向。在記錄數(shù)據(jù)1時,還要在位與位之間再翻轉(zhuǎn)一次,寫1的電流頻率是寫0的2倍。具有自同步能力 5.改進(jìn)調(diào)頻制(MFM):只有連續(xù)記錄兩個或兩個以上0時在位周期的起始位置處翻轉(zhuǎn)一次,而不是在每個位周期的起始處都翻轉(zhuǎn)。 6.RLL碼:在高密度磁盤中采用的信息編碼技術(shù),將原始數(shù)據(jù)序列變換成0,1游程長度受限制的代碼,然后再用不歸零制方式進(jìn)行調(diào)制和寫入。具有自同步能力 7.磁盤訪問時間:指從發(fā)出讀寫命令,磁頭從某一起始位置移動到新的記錄位置,到結(jié)束從盤片讀出或?qū)懭胄畔⑺ǖ臅r間。 磁盤訪問時間=尋道時間+旋轉(zhuǎn)延遲+控制延遲+數(shù)據(jù)傳輸時間。 8.尋道時間:是將磁頭定位到所要求的磁道上所需的時間。 9.旋轉(zhuǎn)延遲:是找道完成后到磁道上需要訪問的信息到達(dá)磁頭的時間。 10.平均旋轉(zhuǎn)延遲:是磁盤旋轉(zhuǎn)半周的時間,也稱磁盤的尋址時間。 數(shù)據(jù)傳輸時間取決于讀扇區(qū)數(shù)據(jù)時間和傳輸數(shù)據(jù)時間,等于兩者的最大值。 磁盤數(shù)據(jù)傳輸率=轉(zhuǎn)速/秒*每道容量 11.磁盤存儲設(shè)備的主要技術(shù)指標(biāo):存儲密度、存儲容量、尋址時間和數(shù)據(jù)傳輸?shù)取?/p> 12.光盤的結(jié)構(gòu)包括:光盤基片、存儲介質(zhì)和密封層。 13.光盤存儲設(shè)備有只讀型CD-ROM、EORM(寫一次讀多次)型和可檫寫型三種 |
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