第3章 存儲器及其接口

    半導(dǎo)體存儲器分類：

    1. 隨機(jī)存取存儲器，RAM

    （1） 靜態(tài)RAM，SRAM （HM6116，2K * 8）

    （2） 動態(tài)RAM，DRAM，需要刷新電路 （2164，64K * 1）

    2. 只讀存儲器，ROM

    （1） PROM，可編程ROM，一次性寫入ROM

    （2） EPROM，可擦除可編程ROM （INTEL2732A，4K * 8）

    （3） EEPROM，電可擦除可編程ROM

    半導(dǎo)體存儲器的性能指標(biāo)：

    1. 存儲容量

    2. 存取速度 （用兩個(gè)時(shí)間參數(shù)表示：存取時(shí)間，存取周期）

    3. 可靠性

    4. 性能/價(jià)格比

    內(nèi)存條及其特點(diǎn)：

    內(nèi)存條是一個(gè)以小型板卡形式出現(xiàn)的存儲器產(chǎn)品，它的特點(diǎn)是：安裝容易，便于用戶進(jìn)行更換，也便于擴(kuò)充內(nèi)存容量

    HM6116、2164、INTEL2732A的外特性 （教科書 P50 ~ P53）

    INTEL2732A的6種工作方式：

    1. 讀

    2. 輸出禁止

    3. 待用

    4. 編程

    5. 編程禁止

    6. INTEL標(biāo)識符

    實(shí)現(xiàn)片選控制的三種方法：

    1. 全譯碼

    2. 部分譯碼 （可能會產(chǎn)生地址重疊）

    3. 線選法

    地址重疊——多個(gè)地址指向同一存儲單元

    存儲器芯片同CPU連接時(shí)應(yīng)注意的問題：

    1. CPU總線的負(fù)載能力問題

    2. CPU的時(shí)序同存儲器芯片的存取速度的配合問題

    16位微機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存儲器芯片的奇偶分體：

    1. 1M字節(jié)分成兩個(gè)512K字節(jié) （偶存儲體，奇存儲體）

    2. 偶存儲體同低8位數(shù)據(jù)總線（D7 ~ D0）相連接，奇存儲體同高8位數(shù)據(jù)總線（D15 ~ D8）相連接

    3. CPU的地址總線A19 ~ A1同兩個(gè)存儲體中的地址線A18 ~ A0相連接，CPU地址總線的最低位A0和BHE（低電平）用來選擇存儲體

    4. 要訪問的16位字的低8位字節(jié)存放在偶存儲體中，稱為對準(zhǔn)字，訪存只需要一個(gè)總線周期；要訪問的16位字的低8位字節(jié)存放在奇存儲體中，稱為未對準(zhǔn)字，訪存需要兩個(gè)總線周期

    5. 8088CPU數(shù)據(jù)總線是8位，若進(jìn)行字操作，則需要兩個(gè)總線周期，第一個(gè)周期訪問低位，第二個(gè)周期訪問高位

    存儲器的字位擴(kuò)展，考試必考 （教科書 P71 習(xí)題2、習(xí)題6）

    74LS138的綜合應(yīng)用必須熟練掌握，考試必考： （教科書 P55 ~ P58； P71 ~ P72 習(xí)題7、習(xí)題8； P231 第五2題）

    1. 存儲器芯片的地址范圍

    2. 地址線的連接 （片內(nèi)地址，片外地址）

    3. 數(shù)據(jù)線的連接

    4. 控制線的連接 （片選信號CE，寫信號WE，輸出信號OE等，以上信號都為低電平）